北京创源立晶科技有限责任公司

产品名称：平板型IGBT CGD1100A/1700V PcS

产品关键词：● 封装和压装后的电气特性

            ● 包含反并联*二*管

            ● 增强型IGBT

产品参数：　 *大额定值(25℃）

             集电*-发射*电压 VC*=1700(V)

             栅*-发射*电压   VG*=±20(V)

             集电*电流        IC＝1100(A)

                               ICP=2200(A)

             集电*耗散功率    PC=6216(W)

             工作结温          Tj=－20~125℃

             存储温度          Tstg=－40~125℃

                                   （ 注：*过*大额定值可能导致器件损坏）

               电气特性（TC=125℃，*结壳热阻Rth）

              栅*漏电流              IG*=±5（μA）

              集电*-发射*截止电流   IC*=250（mA）

              集电*-发射*饱和电压   VCE(sat)=6(V)

              栅*-发射*阈值电压     VGE(th)=10(V)

              开通时间                Ton=2.5μs

              关断时间                Toff=3μs

平板型IGBT元件具有长期的高机械*性，它的高耐破损能力以及平板型结构的特点，可以较容易地用于串联装置中，而且与传统的GTO晶闸管相比，IGBT是电压驱动方式，故而使用方便，具有更大的*动作范围。